低压化学气相沉积(LPCVD) 这是一种直接生成多晶硅的方法。 LPCVD是集成电路中普遍采用的标准方法，具有生长速度快，成膜致密、均匀、装片容量大等特点。多晶硅薄膜可采用硅烷气体通过LPCVD法直接沉积在衬底上，典型的沉积参数是：硅烷压力为13.3～26.6Pa，太阳能电池片价格，沉积温度Td=580～630℃，生长速率5～10nm/min。由于沉积温度较高，如普通玻璃的软化温度处于500～600℃，则不能采用廉价的普通玻璃而必须使用昂贵的石英玻璃作衬底。 该法生长的多晶硅薄膜，晶粒具有择优取向，形貌呈“V”字形，太阳能电池的价格，内含高密度的微挛晶缺陷，且晶粒尺寸小，载流子迁移率不够大，使其在器件应用方面受到一定限制。虽然减少硅烷压力有助于增大晶粒尺寸，但往往伴随着表面粗糙度的增加，对载流子的迁移率与器件的电学稳定性产生不利影响。
重量轻，北海市太阳能电池，比功率高 在不锈钢衬底和聚脂薄膜衬底上制备的非晶硅薄膜电池， 重量轻、柔软，具有很高的比功率.在不锈钢衬底上的比功率可达1000W/Kg，在聚脂膜上的比功率ZUI高可达2000W/Kg. 而晶体硅的比功率一般仅40-100W/Kg. 由于衬底很薄，可以卷曲、裁剪， 便于携带， 这对于降低运输成本特别是对于空间应用十分有利.
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