准分子激光晶化(ELA) :激光晶化相对于固相晶化制备多晶硅来说更为理想,其利用瞬间激光脉冲产生的高能量入射到非晶硅薄膜表面,仅在薄膜表层100nm厚的深度产生热能效应,使a-Si薄膜在瞬间达到1000℃左右,从而实现a-Si向p-Si的转变。在此过程中,激光脉冲的瞬间(15~50ns)能量被a-Si薄膜吸收并转化为相变能,因此,不会有过多的热能传导到薄膜衬底,合理选择激光的波长和功率,使用激光加热就能够使a-Si薄膜达到熔化的温度且保证基片的温度低于450℃. 可以采用玻璃基板作为衬底,太阳能电池,其主要优点为脉冲宽度短(15~50ns),衬底发热小。通过选择还可获得混合晶化,即多晶硅和非晶硅的混合体。
电池的伏安特性三个基本特性
1.太阳能电池的极性硅太阳能电池的一般制成P+/N型结构或N+/P型结构,太阳能电池价格,P+和N+,太阳能电池片,表示太阳能电池正面光照层半导体材料的导电类型;N和P,表示太阳能电池背面衬底半导体材料的导电类型。太阳能电池的电性能与制造电池所用半导体材料的特性有关。
2.太阳电池的性能参数太阳电池的性能参数由开路电压、短路电流、ZUI大输出功率、填充因子、转换效率等组成。这些参数是衡量太阳能电池性能好坏的标志。
3.太阳能电池的伏安特性P-N结太阳能电池包含一个形成于表面的浅P-N结、一个条状及指状的正面欧姆接触、一个涵盖整个背部表面的背面欧姆接触以及一层在正面的抗反射层。当电池暴露于太阳光谱时,能量小于禁带宽度Eg的光子对电池输出并无贡献。能量大于禁带宽度Eg的光子才会对电池输出贡献能量Eg,西藏太阳能电池,大于Eg的能量则会以热的形式消耗掉。因此,在太阳能电池的设计和制造过程中,必须考虑这部分热量对电池稳定性、寿命等的影响。
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