硅太阳能电池制作流程
硅片切割，太阳能电池，材料准备： 工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，电阻率约1Ω.cm的p型（全球节能环保网掺硼）。
去除损伤层： 硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，这就会产生两个问题，首先表面的质量较差，另外这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除，太阳能电池，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。
重量轻，比功率高 在不锈钢衬底和聚脂薄膜衬底上制备的非晶硅薄膜电池， 重量轻、柔软，具有很高的比功率.在不锈钢衬底上的比功率可达1000W/Kg，在聚脂膜上的比功率ZUI高可达2000W/Kg. 而晶体硅的比功率一般仅40-100W/Kg. 由于衬底很薄，薄膜太阳能电池，可以卷曲、裁剪， 便于携带， 这对于降低运输成本特别是对于空间应用十分有利.
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