中国存储芯片产业须自主创新
目前，全球存储芯片技术主要由Samsung、SK Hynix、美光、东芝、Intel等国际大厂垄断。
闪存方面，随着2D-NAND制程工艺来到摩尔定律的极限，各巨头厂商纷纷开始着手开发3D-NAND技术，三星32层与48层3D V-NAND产品与美光英特尔32层 3D NAND产品于2015年底已正式投放市场，上海芯片回收，东芝、SanDisk、SK Hynix前期在迈入3D-NAND主流厂商的道路上稍显迟钝，不过在今年7月份，东芝和SanDisk同时宣布已研发出64层的3D-NAND Flash制程技术，并计划采用该技术的256Gb(32GB)产品在2017年上半年进行量产，随后三星也立即宣布于2016年底量产4GV-NAND(64层)产品。
在3D-NAND技术领域，各厂商都正处于起跑阶段，距离还未完全被拉开，这对于大陆存储芯片产业的发展是有利因素。
可以预见，中国在布局存储芯片产业的步伐将会越来越快，大陆存储芯片产业的“炮台”已经搭起，内存缓存芯片回收，“弹.药”及所有准备工作正紧张有序开展，一旦中国拥有先进Flash和DRAM产品生产能力并实现自给自足时，全球存储芯片的供需体系将被重新洗牌，相信对世界几大寡头来说势必会是一场血雨腥风。
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芯片的极限温度与额定电压和电流一样是绝.对的吗？
不是的！
尽管集成电路制造商不能保证芯片在其额定温度范围之外也正常工作，但当超出其温度范围限制时，芯片不会突然停止工作。但是如果工程师需要在其他温度下使用芯片，那么他们必须确定这些芯片的工作情况，以及芯片行为的一致性。
当温度约为185~200°C（具体值取决于工艺），增加的漏电和降低的增益将使得硅芯片的工作不可预测，硬盘盒主芯片回收，并且掺杂剂的加速扩散会把芯片寿命缩短至数百小时，或者最.好的情况下，也可能仅有数千小时。不过在某些应用中，可以接受高温对芯片造成的较低性能和较短寿命影响，如钻头仪器仪表应用，芯片常常工作在高温环境下。但如果温度变得更高，那么芯片的工作寿命就可能变得太短，以至于无法使用。
在非常低的温度下，旧芯片回收多少钱，降低载流子迁移率最终导致芯片停止工作，但是某些电路却能够在低于50K的温度下正常工作，尽管该温度已经超出了标称范围。
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