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太阳能电池组件结构

太阳能电池片:  太阳能电池片是光电转换的ZUI小单元，尺寸一般为125*125或156*156。太阳能电池片的工作电压约为0.5V，一般不能单独作为电源使用。将太阳能电池片进行串并联封装后，就成为太阳能电池板，其功率一般为几瓦到几十瓦，一百瓦到两百瓦以上，可以单独作为电源使用。   太阳能电池工作原理：以半导体材料硅为基体，利用扩散工艺在硅晶体中掺入适量杂质，当掺入硼，磷等杂质时，硅晶体中就会存在空穴，形成n型半导体；同样，掺入磷原子后，硅晶体中就会有一个电子，形成p型半导体，太阳能电池片，p型半导体与n型半导体结合在一起形成pn结，当太阳光照射硅晶体后，太阳能电池板的价格，pn结中n型半导体空穴往p型区移动，而p型区中的电子往n型区移动，从而形成n型区到p型区的电流，在pn结中形成电势差，这就形成了电流。  作为重要工序，丝网印刷的质量(厚度，宽度，膜厚一致性)影响电池片的技术指标。

微(多)晶硅薄膜太阳电池的制作方法

低压化学气相沉积(LPCVD)    这是一种直接生成多晶硅的方法。 LPCVD是集成电路中普遍采用的标准方法，具有生长速度快，成膜致密、均匀、装片容量大等特点。多晶硅薄膜可采用硅烷气体通过LPCVD法直接沉积在衬底上，太阳能电池，典型的沉积参数是：硅烷压力为13.3～26.6Pa，深圳太阳能电池，沉积温度Td=580～630℃，生长速率5～10nm/min。由于沉积温度较高，如普通玻璃的软化温度处于500～600℃，则不能采用廉价的普通玻璃而必须使用昂贵的石英玻璃作衬底。    该法生长的多晶硅薄膜，晶粒具有择优取向，形貌呈“V”字形，内含高密度的微挛晶缺陷，且晶粒尺寸小，载流子迁移率不够大，使其在器件应用方面受到一定限制。虽然减少硅烷压力有助于增大晶粒尺寸，但往往伴随着表面粗糙度的增加，对载流子的迁移率与器件的电学稳定性产生不利影响。

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