影响芯片极限温度的两个问题
第.一个问题是封装材料的特性，封装材料可能会在硅失效之前就失效；第二个问题是热冲击的影响。AD590在缓慢冷却的情况下，在77K的温度下也能够工作的这种特性，并不意味着其在较高的瞬态热力学应用下突然被放置到液氮中，还能同样正常工作。在芯片的标称温度范围外使用的唯.一方法就是测试，测试，再测试，这样才确保您能够理解非标准温度对几个不同批次的芯片行为的影响。检查您所有的假设。芯片制造商有可能会向您提供相关帮助，但是也可能不会给出有关标称温度范围外的芯片工作的任何信息。
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中国存储芯片产业须自主创新
目前，全球存储芯片技术主要由Samsung、SK Hynix、美光、东芝、Intel等国际大厂垄断。
闪存方面，随着2D-NAND制程工艺来到摩尔定律的极限，各巨头厂商纷纷开始着手开发3D-NAND技术，三星32层与48层3D V-NAND产品与美光英特尔32层 3D NAND产品于2015年底已正式投放市场，电子元件ic回收，东芝、SanDisk、SK Hynix前期在迈入3D-NAND主流厂商的道路上稍显迟钝，不过在今年7月份，东芝和SanDisk同时宣布已研发出64层的3D-NAND Flash制程技术，ic回收电子，并计划采用该技术的256Gb(32GB)产品在2017年上半年进行量产，随后三星也立即宣布于2016年底量产4GV-NAND(64层)产品。
在3D-NAND技术领域，各厂商都正处于起跑阶段，ic回收价格，距离还未完全被拉开，这对于大陆存储芯片产业的发展是有利因素。
可以预见，中国在布局存储芯片产业的步伐将会越来越快，大陆存储芯片产业的“炮台”已经搭起，上海ic回收，“弹.药”及所有准备工作正紧张有序开展，一旦中国拥有先进Flash和DRAM产品生产能力并实现自给自足时，全球存储芯片的供需体系将被重新洗牌，相信对世界几大寡头来说势必会是一场血雨腥风。
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