硅太阳能电池制作流程
沉积减反射层： 沉积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率。广泛使用PECVD淀积SiN ，由于PECVD淀积SiN时，不光是生长SiN作为减反射膜，同时生成了大量的原子氢，这些氢原子能对多晶硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用，可用于大批量生产。
丝网印刷上下电极： 电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步骤，太阳能电池，它不仅决定了发射区的结构，太阳能电池片，而且也决定了电池的串联电阻和电池表面被金属覆盖的面积。最早采用真空蒸镀或化学电镀技术，太阳能电池板，而现在普遍采用丝网印刷法，即通过特殊的印刷机和模版将银浆铝浆（银铝浆）印刷在太阳电池的正背面，以形成正负电极引线。
共烧形成金属接触： 晶体硅太阳电池要通过三次印刷金属浆料，传统工艺要用二次烧结才能形成良好的带有金属电极欧姆接触，太阳能电池板价格，共烧工艺只需一次烧结，同时形成上下电极的欧姆接触。在太阳电池丝网印刷电极制作中，通常采用链式烧结炉进行快速烧结。
重量轻，比功率高 在不锈钢衬底和聚脂薄膜衬底上制备的非晶硅薄膜电池， 重量轻、柔软，具有很高的比功率.在不锈钢衬底上的比功率可达1000W/Kg，在聚脂膜上的比功率ZUI高可达2000W/Kg. 而晶体硅的比功率一般仅40-100W/Kg. 由于衬底很薄，可以卷曲、裁剪， 便于携带， 这对于降低运输成本特别是对于空间应用十分有利.
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