硅太阳能电池制作流程
硅片切割，材料准备： 工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10~15cm，太阳能电池片价格，厚度约200~350um，电阻率约1Ω.cm的p型（全球节能环保网掺硼）。
去除损伤层： 硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，这就会产生两个问题，太阳能电池板，首先表面的质量较差，另外这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，太阳能电池，腐蚀的厚度约10um。
现有的非晶硅薄膜太阳电池的光致不稳定性是由非晶硅材料的微结构的亚稳态属性所决定的， 因此也是不易完全克服的. 为了提高效率及其稳定性，太阳能电池板价格， 近年来又出现了微晶硅(μc-Si) 薄膜电池和多晶硅 (poly-Si) 薄膜电池. 实验证明用微晶硅和多晶硅薄膜来替代非晶硅薄膜制作太阳电池的有源层， 在长期强光照射下没有任何衰退现象. 因此发展晶化的硅薄膜太阳电池是实现高稳定、高效率、低成本最有前途的方法. 目前研究的焦点是如何利用低成本工艺技术， 获得大面积优质的晶体硅薄膜， 以及新型薄膜电池结构的优化设计. 制备晶体硅薄膜的技术很多， 基本可分成两大类， 一类是高温技术， 温度高于600℃， 另一类是低温晶化技术， 温度低于600℃ .
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