电池的伏安特性三个基本特性
1.太阳能电池的极性硅太阳能电池的一般制成P+/N型结构或N+/P型结构，太阳能电池板的价格，P+和N+，太阳能电池片价格，表示太阳能电池正面光照层半导体材料的导电类型；N和P，太阳能电池片，表示太阳能电池背面衬底半导体材料的导电类型。太阳能电池的电性能与制造电池所用半导体材料的特性有关。
2.太阳电池的性能参数太阳电池的性能参数由开路电压、短路电流、ZUI大输出功率、填充因子、转换效率等组成。这些参数是衡量太阳能电池性能好坏的标志。
3.太阳能电池的伏安特性P-N结太阳能电池包含一个形成于表面的浅P-N结、一个条状及指状的正面欧姆接触、一个涵盖整个背部表面的背面欧姆接触以及一层在正面的抗反射层。当电池暴露于太阳光谱时，能量小于禁带宽度Eg的光子对电池输出并无贡献。能量大于禁带宽度Eg的光子才会对电池输出贡献能量Eg，大于Eg的能量则会以热的形式消耗掉。因此，在太阳能电池的设计和制造过程中，必须考虑这部分热量对电池稳定性、寿命等的影响。
现有的非晶硅薄膜太阳电池的光致不稳定性是由非晶硅材料的微结构的亚稳态属性所决定的， 因此也是不易完全克服的. 为了提高效率及其稳定性，田东县太阳能电池， 近年来又出现了微晶硅(μc-Si) 薄膜电池和多晶硅 (poly-Si) 薄膜电池. 实验证明用微晶硅和多晶硅薄膜来替代非晶硅薄膜制作太阳电池的有源层， 在长期强光照射下没有任何衰退现象. 因此发展晶化的硅薄膜太阳电池是实现高稳定、高效率、低成本最有前途的方法. 目前研究的焦点是如何利用低成本工艺技术， 获得大面积优质的晶体硅薄膜， 以及新型薄膜电池结构的优化设计. 制备晶体硅薄膜的技术很多， 基本可分成两大类， 一类是高温技术， 温度高于600℃， 另一类是低温晶化技术， 温度低于600℃ .
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