低压化学气相沉积(LPCVD) 这是一种直接生成多晶硅的方法。 LPCVD是集成电路中普遍采用的标准方法，具有生长速度快，太阳能电池的价格，成膜致密、均匀、装片容量大等特点。多晶硅薄膜可采用硅烷气体通过LPCVD法直接沉积在衬底上，典型的沉积参数是：硅烷压力为13.3～26.6Pa，太阳能电池板，沉积温度Td=580～630℃，生长速率5～10nm/min。由于沉积温度较高，如普通玻璃的软化温度处于500～600℃，则不能采用廉价的普通玻璃而必须使用昂贵的石英玻璃作衬底。 该法生长的多晶硅薄膜，晶粒具有择优取向，形貌呈“V”字形，内含高密度的微挛晶缺陷，且晶粒尺寸小，载流子迁移率不够大，浙江太阳能电池，使其在器件应用方面受到一定限制。虽然减少硅烷压力有助于增大晶粒尺寸，太阳能电池板的价格，但往往伴随着表面粗糙度的增加，对载流子的迁移率与器件的电学稳定性产生不利影响。
太阳能电池组件的寿命
（太阳能电池组件的寿命）是由其发电效率决定的，而PN结的结合程度和硅片的纯度决定了太阳能电池在同样光的照射下产生电能的强度，随着时间的推移，PN结会不断破裂，这样效率会不断下降，15年后转换效率为90%以上，25年后将下降到80%左右，所以太阳能电池组件的寿命基本在二十年以上的。
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