电池的伏安特性三个基本特性
1.太阳能电池的极性硅太阳能电池的一般制成P+/N型结构或N+/P型结构，薄膜太阳能电池，P+和N+，表示太阳能电池正面光照层半导体材料的导电类型；N和P，太阳能电池，表示太阳能电池背面衬底半导体材料的导电类型。太阳能电池的电性能与制造电池所用半导体材料的特性有关。
2.太阳电池的性能参数太阳电池的性能参数由开路电压、短路电流、ZUI大输出功率、填充因子、转换效率等组成。这些参数是衡量太阳能电池性能好坏的标志。
3.太阳能电池的伏安特性P-N结太阳能电池包含一个形成于表面的浅P-N结、一个条状及指状的正面欧姆接触、一个涵盖整个背部表面的背面欧姆接触以及一层在正面的抗反射层。当电池暴露于太阳光谱时，能量小于禁带宽度Eg的光子对电池输出并无贡献。能量大于禁带宽度Eg的光子才会对电池输出贡献能量Eg，大于Eg的能量则会以热的形式消耗掉。因此，在太阳能电池的设计和制造过程中，必须考虑这部分热量对电池稳定性、寿命等的影响。
铜铟硒薄膜电池（简称CIS）适合光电转换，太阳能电池板价格，不存在光致衰退问题，转换效率和多晶硅一样。具有价格低廉、性能良好和工艺简单等优点，将成为今后发展太阳能电池的一个重要方向。WEI一的问题是材料的来源，太阳能电池的价格，由于铟和硒都是比较稀有的元素，因此，这类电池的发展又必然受到限制。
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