研究者发现有一些化合物半导体材料适于作太阳能光电转化薄膜。例如CdS，太阳能电池的价格，CdTe；Ⅲ-V化合物半导体：GaAs，AIPInP等；用这些半导体制作的薄膜太阳能电池表现出很好光电转化效率。具有梯度能带间隙（导带与价带之间的能级差）多元的半导体材料，可以扩大太阳能吸收光谱范围，进而提高光电转化效率。使薄膜太阳能电池大量实际的应用呈现广阔的前景。在这些多元的半导体材料中Cu(In，Ga)Se2是一种性能优良太阳光吸收材料。以它为基础可以设计出光电转换效率比硅薄膜太阳能电池明显地高的薄膜太阳能电池，可以达到的光电转化率为18%.
现有的非晶硅薄膜太阳电池的光致不稳定性是由非晶硅材料的微结构的亚稳态属性所决定的， 因此也是不易完全克服的. 为了提高效率及其稳定性， 近年来又出现了微晶硅(μc-Si) 薄膜电池和多晶硅 (poly-Si) 薄膜电池. 实验证明用微晶硅和多晶硅薄膜来替代非晶硅薄膜制作太阳电池的有源层， 在长期强光照射下没有任何衰退现象. 因此发展晶化的硅薄膜太阳电池是实现高稳定、高效率、低成本最有前途的方法. 目前研究的焦点是如何利用低成本工艺技术， 获得大面积优质的晶体硅薄膜，钦州市太阳能电池， 以及新型薄膜电池结构的优化设计. 制备晶体硅薄膜的技术很多，太阳能电池片， 基本可分成两大类，太阳能电池板价格， 一类是高温技术， 温度高于600℃， 另一类是低温晶化技术， 温度低于600℃ .
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