研究者发现有一些化合物半导体材料适于作太阳能光电转化薄膜。例如CdS，CdTe；Ⅲ-V化合物半导体：GaAs，AIPInP等；用这些半导体制作的薄膜太阳能电池表现出很好光电转化效率。具有梯度能带间隙（导带与价带之间的能级差）多元的半导体材料，可以扩大太阳能吸收光谱范围，进而提高光电转化效率。使薄膜太阳能电池大量实际的应用呈现广阔的前景。在这些多元的半导体材料中Cu(In，Ga)Se2是一种性能优良太阳光吸收材料。以它为基础可以设计出光电转换效率比硅薄膜太阳能电池明显地高的薄膜太阳能电池，可以达到的光电转化率为18%.
沉积减反射层： 沉积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率。广泛使用PECVD淀积SiN ，由于PECVD淀积SiN时，太阳能电池片，不光是生长SiN作为减反射膜，同时生成了大量的原子氢，太阳能电池板厂家，这些氢原子能对多晶硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用，可用于大批量生产。
丝网印刷上下电极： 电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步骤，它不仅决定了发射区的结构，孟津县太阳能电池，而且也决定了电池的串联电阻和电池表面被金属覆盖的面积。最早采用真空蒸镀或化学电镀技术，而现在普遍采用丝网印刷法，即通过特殊的印刷机和模版将银浆铝浆（银铝浆）印刷在太阳电池的正背面，太阳能电池板，以形成正负电极引线。
共烧形成金属接触： 晶体硅太阳电池要通过三次印刷金属浆料，传统工艺要用二次烧结才能形成良好的带有金属电极欧姆接触，共烧工艺只需一次烧结，同时形成上下电极的欧姆接触。在太阳电池丝网印刷电极制作中，通常采用链式烧结炉进行快速烧结。
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