研究者发现有一些化合物半导体材料适于作太阳能光电转化薄膜。例如CdS，CdTe；Ⅲ-V化合物半导体：GaAs，歙县太阳能电池，AIPInP等；用这些半导体制作的薄膜太阳能电池表现出很好光电转化效率。具有梯度能带间隙（导带与价带之间的能级差）多元的半导体材料，可以扩大太阳能吸收光谱范围，太阳能电池片，进而提高光电转化效率。使薄膜太阳能电池大量实际的应用呈现广阔的前景。在这些多元的半导体材料中Cu(In，Ga)Se2是一种性能优良太阳光吸收材料。以它为基础可以设计出光电转换效率比硅薄膜太阳能电池明显地高的薄膜太阳能电池，可以达到的光电转化率为18%.
硅片切割，材料准备： 工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，薄膜太阳能电池，电阻率约1Ω.cm的p型（全球节能环保网掺硼）。
去除损伤层： 硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，这就会产生两个问题，太阳能电池，首先表面的质量较差，另外这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。
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